YJG90G10A

SUNCOYJ
RoHS YJG90G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 90A ＜5.0mohm ＜7.1mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching ap...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSL1006AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
— в ленте 32 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG90G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 90A ＜5.0mohm ＜7.1mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 90 Tc=25℃ Drain Current ID A 57 Tc=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 360 A Avalanche energy B EAS 400 mJ 120 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 48 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 0.84 1.04 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG90G10A F1 YJG90G10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E425 Rev.1.0,26-Oct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG90G10AF1 

Microsoft Word - YJG90G10A

Дата модификации: 26.10.2020

Размер: 1.12 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)