WMK072N12HG2

WAYON
WMK072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. Features  GD S TO-220 VDS = 120V, ID = 125A(Silicon Li...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJP120N10 (JSCJ)
 
TO-220-3 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMK072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. Features  GD S TO-220 VDS = 120V, ID = 125A(Silicon Limited) RDS(on) < 7.2mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed RoHS compliant  Low RDS(ON)  Optimized for High Speed Smooth Switching Applications D G  Power Management Switches  DC/DC Conversion  Synchronous Rectification in SMPS S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current1(Silicon Limited) TC=25°C ID TC=100°C Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation4 A 80 IDM 500 A EAS 461 mJ PD 225 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 52 °C/W RθJC 0.55 °C/W TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range 125 Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 Thermal Resistance from Junction-to-Case1 Rev.1.0, 2021 Doc:W0803489 1 / 7 PDF
Документация на WMK072N12HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 13.05.2022

Размер: 510.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)