CJP120N10

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP120N10  N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 9 3.8Pȍ#9 $ TO-220-3L-C  *$7(  '5$,1  6285&(    DESCRIPTION The CJP120N10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applica...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO-220-3
  • Норма упаковки: 10  шт.

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- CJP130SN10 (JSCJ)
 
TO2203L
 
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- YJP120G08A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 20 шт
 
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMK80N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMK25N06TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- NCE60H15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- NCE6080 (NCE)
 
TO-220-3
 
P- NCE75H21 (NCE)
 
TO-220-3
 
P- NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- NCEP058N85 (NCE)
 
TO-220-3
 
P- CRST055N07N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- JMSH0804NC (JIEJIE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
— в ленте 2000 шт
P- CRTT032N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
P- WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
—
 
P- WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
P- IRFZ48V (EVVO)
 

IRFZ48V (INFIN) 		TO-220-3 1000 шт
 
P- IRFB3077PBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
P- IRF1405ZPBF (JSMICRO)
 

IRF1405ZPBF (INFIN) 		—
 
P- IRF1405ZPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
P- IRF2907ZPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
P- IRFB3306PBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
P- CS180N06A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- CRTT045N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3 1000 шт
 
P- NCE80H12 (NCE)
 
— в линейках 20 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP120N10  N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 9 3.8Pȍ#9 $ TO-220-3L-C  *$7(  '5$,1  6285&(    DESCRIPTION The CJP120N10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   APPLICATIONS /RZ5'6 RQ /RZ*DWH&KDUJH   MARKING P120N10 XXXX +LJKHIILFLHQF\SRZHUVXSSO\ 6HFRQGDU\V\QFKURQXVUHFWLILHU EQUIVALENT CIRCUIT 31 'HYLFHFRGH. 6ROLGGRW *UHHQPROGLQJFRPSRXQG GHYLFHLIQRQHWKHQRUPDOGHYLFH. ;;;; &RGH. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit 'UDLQ6RXUFH9ROWDJH 9'6  9 *DWH6RXUFH9ROWDJH 9*6 “ 9 ① ,'  $ 3XOVHG'UDLQ&XUUHQW ② ,'0 480 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS③ 1500 mJ ① &RQWLQXRXV'UDLQ&XUUHQW Power Dissipation PD Thermal Resistance from Junction to Case Operation Junction and Storage Temperature Range ZZZMVFMHOHFFRP  156 W RθJC① 0.8 ℃/W TJ ,Tstg -55 ~+150 ℃ Rev - 1. PDF
Документация на CJP120N10 

Дата модификации: 29.05.2024

Размер: 2.78 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.