WMK190N03TS
WMK190N03TS
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK190N03TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
Features
GD
S
TO-220
VDS = 30V, ID = 190A
RDS(on) < 2.8mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 4mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device Available
Low Gate Charge
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Аналоги 11
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P+ | WMK030N06HG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
P+ | WMK048NV6HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | WMK180N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CJAC110SN10H (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | YJG110G10B (YJ) | — | 1 шт | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
P- | NCE60H15AD (NCE) | TO263 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | NCEP038N10GU (NCE) | — | ± | — | — | — | |||||||||||
P- | CS1404A8 (CRMICRO) | TO220AB | — | — | — | ||||||||||||
P- | JMSH1003AGQ (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | IRL3803 (EVVO) IRL3803 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | IRF1404Z (EVVO) IRF1404Z (INFIN) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK190N03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 15.09.2022
Размер: 620.7 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.