WMK048NV6HG4

WAYON
WMK048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD Features  S TO-220 VDS = 65V, ID = 110A RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= NCE60H15AD (NCE)
 
TO263
 
P= WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
P= WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= CS1404A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P= WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
P- NCE60H15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 3000 шт
 
P- YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
P- CS3205B8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- JMTC035N06D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
P- CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
P- NCE60H10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
F~ WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
F~ WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт

Файлы 1

показать свернуть
WMK048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD Features  S TO-220 VDS = 65V, ID = 110A RDS(on) < 5.2mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed  Low Rds(on) RoHS D compliant G Applications  Synchronous Rectification  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 65 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C TC=100°C ID 110 70 A IDM 440 A EAS 135.2 mJ PD 104.2 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 58 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 1.2 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2023 Doc:W0803832 1/7 PDF
Документация на WMK048NV6HG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 13.03.2023

Размер: 623.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.