NCE60H15AD
NCE60H15AD
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE60H15AD uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =60V,ID =150A
RDS(ON) <3.1mΩ @ VGS=10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully chara...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO263 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 27
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | YJB150G06AK (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P= | WMM030N06HG4 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | WMK030N06HG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | WMM80N08TS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMK048NV6HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | CS1404A8 (CRMICRO) | TO220AB |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | JMSH0804NC-U (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJB200G06B (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0804NE-13 (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | BLM04N06-B (CN BELL) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm |  | Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply | |||
| A+ | YJB200G06A (YJ) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJB150N06BQ (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJP200G06A (YJ) | TO-220-3 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE60H15A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WML025N06HG2 (WAYON) | TO220F | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK030N06LG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK040N08HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMSL0602AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMK025N06LG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK025N06HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMM040N08HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMM025N06HG2 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | YJP200G06B (YJ) | TO-220-3 | в линейках 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG175G06AR (YJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJB200G06C (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE60H15AD
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 06.09.2022
Размер: 564 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.