WML06N80M3

WML06N80M3, WMN06N8 W 80M3, WM MM06N80M M3 WMO0 06N80M3, WMP06N8 80M3, WM MK06N80M M3 800 0V 1.8Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions w...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WML08N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R1K5S (WAYON)
 
TO252 10 шт
A+ WMO10N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R1K5S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R720S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R1K5S (WAYON)
 
в линейках 50 шт
A+ WML80R1K0S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO06N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML06N80M3, WMN06N8 W 80M3, WM MM06N80M M3 WMO0 06N80M3, WMP06N8 80M3, WM MK06N80M M3 800 0V 1.8Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions which h require superior G D S TO-22 20F G S D G TO O-262 D D S S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.8Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency. Features D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 5 A 2.5 A IDM M 14 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 20 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.07 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 0.8 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 50 23 W 0.4 0.18 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 5 A IS,puulse 14 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2.4 5.4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 201 19 Doc.W088 80006 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx06N80M3 

Microsoft Word - WMx06N80M3 W0880006 V2.0

Дата модификации: 07.01.2020

Размер: 673.9 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.