WML08N80M3

WAYON
WML08N80M3, WMN08N8 W 80M3, WM MM08N80M M3 WMO0 08N80M3, WMP08N8 80M3, WM MK08N80M M3 800V V 1.2Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMP09N90C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — — — —
A+ WMO90R830S (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — —
A+ WMO13N80M3 (WAYON)
 
TO252 10 шт
 
 — — — — —
A+ WMO12N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ90R360S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WMO80R480S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WMO11N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WMO10N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WMM80R350S (WAYON)
 
TO263 24 шт
 
 — — — — —
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WML80R720S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMK10N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
WML08N80M3, WMN08N8 W 80M3, WM MM08N80M M3 WMO0 08N80M3, WMP08N8 80M3, WM MK08N80M M3 800V V 1.2Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions which h require superior G D S TO-22 20F G D S G TO O-262 D D Features S S G G TO-26 63 VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.2Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 7 A 4 A IDM M 21 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 56 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.1 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 1.3 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 70 29 W 0.56 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 7 A IS,puulse 21 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2019 Doc.W0880 0009 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx08N80M3 

Microsoft Word - WMx08N80M3 W0880009 V2.0

Дата модификации: 11.01.2022

Размер: 680.8 Кб

13 стр.

WML08N80M3, WMN08N8 W 80M3, WM MM08N80M M3 WMO0 08N80M3, WMP08N8 80M3, WM MK08N80M M3 800V V 1.2Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions which h require superior G D S TO-22 20F G D S G TO O-262 D D Features S S G G TO-26 63 VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.2Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 7 A 4 A IDM M 21 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 56 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.1 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 1.3 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 70 29 W 0.56 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 7 A IS,puulse 21 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.1.0, 2017 Doc.W0880 0009 1 / 10 PDF
Документация на WML08N80M3 

Microsoft Word - WMx08N80M3 W0880009 V1.0

Дата модификации: 23.01.2018

Размер: 598.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)