WMO80N06TS
WMO80N06TS
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO80N06TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
D
Features
G
TO-252
VDS= 60V, ID = 80A
RDS(on) < 8mΩ @ VGS = 10V
Extremely Low Switching Loss
Excellent Stability and Uniformity
Low Gate Cha...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Аналоги 9
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | CJU70N06 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| P= | WMO076N06LG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | YJD80G06C (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P= | WMO030N06LG4 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | NCE6080K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P= | CRTD105N06L (CRMICRO) | TO252 |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P= | WMO048NV6LG4 (WAYON) | — | 1 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | NCE60H10K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | JMTK060N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO80N06TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 29.11.2023
Размер: 609.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.