YJB150G06AK

RoHS YJB150G06AK COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID (Silicon limited) 150A ● RDS(ON)( at VGS=10V) <3.5 mohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <5.0 mohm ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested ● ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell des...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 33

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= NCE60H15AD (NCE)
 
TO263
 
±
P= WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
P= WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- CJB110SN10 (JSCJ)
 
TO2632L ±
P- WMB053NV8HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
P- WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRF3205S (JSMICRO)
 

IRF3205S (INFIN)
в ленте 800 шт
 
P- NCE6080D (NCE)
 
TO2632L
 
P- WMK190N03TS (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
 
P- WMO80N06TS (WAYON)
 
в ленте 2500 шт
 
P- CS100N06D8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- CS1404A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- IRF1010ES (EVVO)
 

IRF1010ES (INFIN)
TO263 800 шт
 
P- IRF1404Z (EVVO)
 

IRF1404Z (INFIN)
TO-220-3 1000 шт
 
P- IRF3205S (EVVO)
 

IRF3205S (INFIN)
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
1 шт
 
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
 
A+ WMB025N06LG4 (WAYON)
 
5 шт
 
A+ WMB025N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
 
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB150G06AK COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID (Silicon limited) 150A ● RDS(ON)( at VGS=10V) <3.5 mohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <5.0 mohm ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested ● ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Synchronous Rectification ● Battery Protection Circuit ● Motor drivers and Uninterruptible Power Supplies ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 150 TC=25℃ Drain Current (Silicon limited) A ID 95 TC=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 450 A EAS 441 mJ 147 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 59 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 48 60 0.7 0.85 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB150G06AK F2 YJB150G06AK 800 / 8000 13“ reel 1/6 S-E149 Rev.1.0,28-Jul-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB150G06AK 

Microsoft Word - YJB150G06AK

Дата модификации: 08.08.2023

Размер: 1.15 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.