YJB150G06AK

RoHS YJB150G06AK COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID (Silicon limited) 150A ● RDS(ON)( at VGS=10V) <3.5 mohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <5.0 mohm ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested ● ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell des...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
P= WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= NCE60H15AD (NCE)
 
TO263
 
±
P- WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
P- CS1404A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
 
P- WMK190N03TS (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
P- WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ JMSL0602AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ NCEP60T18D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP60T15G (NCE)
 
 
±
A+ JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0602AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0803AGS (JIEJIE)
 
 
A+ NCEP60T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJB200G06A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ WMK025N06LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
±

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB150G06AK COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID (Silicon limited) 150A ● RDS(ON)( at VGS=10V) <3.5 mohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <5.0 mohm ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested ● ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Synchronous Rectification ● Battery Protection Circuit ● Motor drivers and Uninterruptible Power Supplies ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 150 TC=25℃ Drain Current (Silicon limited) A ID 95 TC=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 450 A EAS 441 mJ 147 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 59 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 48 60 0.7 0.85 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB150G06AK F2 YJB150G06AK 800 / 8000 13“ reel 1/6 S-E149 Rev.1.0,28-Jul-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB150G06AK 

Microsoft Word - YJB150G06AK

Дата модификации: 08.08.2023

Размер: 1.15 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.