YJQ20N04A

Yangjie
RoHS YJQ20N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 20 A ＜14.0 mohm ＜18.5 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
P- WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE4009S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- CS15N04AEP-G (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- JMTP130N04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7470 (EVVO)
 

IRF7470 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
P- CJQ13N04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ WMQ090N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
 — — — — — —
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC40N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJQ20N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 20 A ＜14.0 mohm ＜18.5 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 20 TC=25℃ Drain Current ID A 14 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 90 A Single Pulse Avalanche Energy B EAS 70 mJ 21 TC=25℃ Total Power Dissipation PD W 2.34 TA=25℃ RθJC 5.9 RθJA 53.4 TJ ,TSTG -55～+150 Thermal Resistance Junction-to-Case ℃/ W Junction and Storage Temperature Range ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ20N04A F1 Q20N04 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E620 Rev.3.1,14-Oct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ20N04AF1 

Microsoft Word - YJQ20N04A

Дата модификации: 14.10.2020

Размер: 1.19 Мб

7 стр.

RoHS YJQ20N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 20 A ＜14.0 mohm ＜18.5 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 20 TC=25℃ Drain Current ID A 14 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 90 A Single Pulse Avalanche Energy B EAS 70 mJ 21 TC=25℃ Total Power Dissipation PD W 2.34 TA=25℃ RθJC 5.9 RθJA 53.4 TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case Junction and Storage Temperature Range ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ20N04A F1 Q20N04 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E620 Rev.3.0,14-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ20N04A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 17.09.2020

Размер: 678.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)