WMS04N10T1

WMS04N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS04N10T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S S Features ⚫ S G SOP-8L VDS= 100V, ID = 4A RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 110mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Green Device Available ⚫ Low...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
±
A+ WMS06N10TS (WAYON)
 
 
A+ TSM950N10CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
 
A+ WMT07N10TS (WAYON)
 
SOT-223 2500 шт
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 1 шт
A+ WMS240N10LG2 (WAYON)
 
4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.