WMS09DP03TS

WAYON
WMS09DP03TS 30V Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 WMS09DP03TS uses advanced power trench technology that has D2 been especially tailored to minimize the on-state resistance and S1 yet maintain superior switching performance. G1 S2 G2 Features  SOP-8L VDS= -30V, ID = -9A RDS(on) < 15mΩ @ VGS = -10 V RDS(on) < 19mΩ @ VGS = -4.5V  High Power and ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P= YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS09DP03TS 30V Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 WMS09DP03TS uses advanced power trench technology that has D2 been especially tailored to minimize the on-state resistance and S1 yet maintain superior switching performance. G1 S2 G2 Features  SOP-8L VDS= -30V, ID = -9A RDS(on) < 15mΩ @ VGS = -10 V RDS(on) < 19mΩ @ VGS = -4.5V  High Power and Current Handing Capability  Low Gate Charge RoHS D1 D1 D2 D2 compliant 8 7 6 5 Applications   Power Management Switches Battery Protection Applications Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA=25°C -9 ID Continuous Drain Current TA=100°C -5.7 Pulsed Drain Current1 IDM -36 A EAS 68.45 mJ PD 2.8 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 45 °C/W Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2022 Doc:W0803661 1/7 PDF
Документация на WMS09DP03TS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 12.05.2022

Размер: 687.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)