NCE3007S

NCE
NCE3007S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3007S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in load switch and battery protection applications. General Features Schematic diagram ● VDS =-30V,ID =-6.5A RDS(ON) < 42mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 72mΩ @ VGS=-4.5V ● High densit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE3007S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3007S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in load switch and battery protection applications. General Features Schematic diagram ● VDS =-30V,ID =-6.5A RDS(ON) < 42mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 72mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current Application Marking and pin assignment ● Load switch ● battery protection SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE3007S NCE3007S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -6.5 A ID (100℃) -4.5 A Pulsed Drain Current IDM -30 A Maximum Power Dissipation PD 3.1 W IAR -8 A EAS 72 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) RθJA 40 ℃/W Thermal Resistance,Junction-to-Lead RθJL 24 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Avalanche Current (Note 1) Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V3.0 PDF
Документация на NCE3007S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 09.05.2023

Размер: 697.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)