WMS10N04TS

WAYON
WMS10N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS10N04TS uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  S S G SOP-8L VDS= 40V, ID =10A RDS(on) < 12.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 19.5mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  Lo...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
P- NCE4012S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- JMTP130N04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CJQ13N04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRF7470 (EVVO)
 

IRF7470 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS10N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS10N04TS uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  S S G SOP-8L VDS= 40V, ID =10A RDS(on) < 12.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 19.5mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D RoHS Applications compliant  Synchronous Rectification  DC/DC Converter G S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TA=25°C ID TA=100°C IDM 40 A EAS 31.25 mJ PD 3 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 41.7 °C/W Single Pulse Avalanche Energy2 TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A 6.3 Pulsed Drain Current1 Total Power Dissipation 10 Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2021 Doc:W0803602 1/7 PDF
Документация на WMS10N04TS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 15.03.2022

Размер: 769 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)