NCE4012S

NCE
NCE4012S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4012S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON) <12mΩ @ VGS=10V (Typ. 8.4 mΩ) RDS(ON) <18mΩ @ VGS=4.5V (Typ. 12.3 mΩ) ● High d...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ LNB8408DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84065DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8404DT0AG (LRC)
 
DFN30308
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84046DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8403DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN8418DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7406DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN74065DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7404DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ HGE055NE4A (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
A+ NCE4015S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE4012S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4012S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON) <12mΩ @ VGS=10V (Typ. 8.4 mΩ) RDS(ON) <18mΩ @ VGS=4.5V (Typ. 12.3 mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Marking and pin Assignment Application ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE4012S NCE4012S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 12 A ID (100℃) 8.5 A Pulsed Drain Current IDM 60 A Maximum Power Dissipation PD 3 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 41.7 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 40 45 - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=40V,VGS=0V - - 1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCE4012S 

Microsoft Word - NCE4012S data sheet.doc

Дата модификации: 20.01.2021

Размер: 369 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)