YJS10N04A

SUNCOYJ
RoHS YJS10N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 40 V 10 A ＜15mohm ＜24mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard s...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LN7406DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8403DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ YJQ20N04A (YJ)
 
—
 
 —
A+ LNB8415DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8408DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84065DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84046DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJG18N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ LN8418DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LN74065DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ HGE055NE4A (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
A+ NCE4015S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ NCE4012S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS10N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 40 V 10 A ＜15mohm ＜24mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 10 TA=25℃ Drain Current ID A 7.0 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 50 A Single Pulse Avalanche Energy B EAS 70 mJ 3.0 TA=25℃ Total Power Dissipation PD W 1.2 TA=100℃ RθJL 30 RθJA 41.5 TJ ,TSTG -55～+150 Thermal Resistance Junction-to-Lead C ℃/ W Junction and Storage Temperature Range ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS10N04A F2 Q10N04 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E610 Rev.3.1,14-Oct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS10N04AF2 

Microsoft Word - YJS10N04A

Дата модификации: 14.10.2020

Размер: 1.18 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)