Вход / Регистрация

YJS10N04A

SUNCO
RoHS YJS10N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 40 V 10 A ＜15mohm ＜24mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard s...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE4012S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- JMTP130N04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CJQ13N04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJQ20N04A (YJ)
 
—
 
 —
A+ YJG18N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ IRF7470 (EVVO)
 

IRF7470 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS10N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 40 V 10 A ＜15mohm ＜24mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 10 TA=25℃ Drain Current ID A 7.0 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 50 A Single Pulse Avalanche Energy B EAS 70 mJ 3.0 TA=25℃ Total Power Dissipation PD W 1.2 TA=100℃ RθJL 30 RθJA 41.5 TJ ,TSTG -55～+150 Thermal Resistance Junction-to-Lead C ℃/ W Junction and Storage Temperature Range ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS10N04A F2 Q10N04 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E610 Rev.3.1,14-Oct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS10N04AF2 

Microsoft Word - YJS10N04A

Дата модификации: 14.10.2020

Размер: 1.18 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)