WMS175DN10LG4

WAYON
WMS175DN10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 D2 WMS175DN10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S1 G1 on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S2 This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G2 SOP-8L Features  VDS ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS175N10LG4 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS175N10HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS175DN10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 D2 WMS175DN10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S1 G1 on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S2 This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G2 SOP-8L Features  VDS = 100V, ID = 8.5A RDS(on) < 21mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed  Low Gate Charge  High Speed Switching RoHS compliant D G D G Applications  Synchronous Rectification  DC/DC Converter  Power Management Switches S S Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA=25°C 8.5 ID Continuous Drain Current TA=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A 5.4 IDM 34 A EAS 80 mJ PD 3.1 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40.3 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2023 Doc:W0803965 1/7 PDF
Документация на WMS175DN10LG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 11.10.2023

Размер: 977.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)