WMS175N10HG4

WAYON
WMS175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D WMS175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G SOP-8L Features  VDS = 100V, I...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS12G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS175N10LG4 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D WMS175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G SOP-8L Features  VDS = 100V, ID = 9A RDS(on) < 18mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed  Low Gate Charge  High Speed Switching RoHS D compliant G Applications S  Power Management Switches  DC/DC Converter  LED Backlighting Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA=25°C Continuous Drain Current ID TA=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range 9 A 5.7 IDM 36 A EAS 80 mJ PD 3.1 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40.3 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2023 Doc:W0803890 1/7 PDF
Документация на WMS175N10HG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 02.06.2023

Размер: 784.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)