YJS12G10A

SUNCOYJ
RoHS YJS12G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) 100V 12A ＜17 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC/DC Primary Side Switch ● Telecom/Server ● Synchronous Rectification ■ Absolute Maximu...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ IRLR3410TR (YOUTAI)
 

IRLR3410TR (INFIN) 		— 1000 шт — —
A+ WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ IRFR3910TR (YOUTAI)
 

IRFR3910TR (INFIN) 		— в ленте 2500 шт — —
A+ WMS099N10LGS (WAYON)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — —
A+ WMO13N10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ 12N10 (YOUTAI)
 
— — —
A+ YJG18N10A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJD15N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ YJS15G10C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 10 шт
 
 — —
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
 — —
A+ 15N10 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
A+ WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ NCE0115K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS12G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) 100V 12A ＜17 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC/DC Primary Side Switch ● Telecom/Server ● Synchronous Rectification ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 12 TA=25℃ Drain Current ID A 7.5 TA =100℃ Pulsed Drain Current A IDM 70 A Avalanche Energy, Single Pulse(L=0.5mH) EAS 80 mJ Total Power Dissipation B PD 3.1 W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient C t≤10S Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Lead Steady-State Typ Max 31 40 59 75 16 24 Units RθJA RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS12G10A F2 Q12G10. 4000 8000 64000 13“ reel 1/6 S-E087 Rev.3.1,25-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS12G10A 

Microsoft Word - YJS12G10A Rev3.1-20200829

Дата модификации: 10.10.2020

Размер: 1.44 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)