YJS12G10A
RoHS
YJS12G10A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
100V
12A
＜17 mohm
General Description
● Split Gate Trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● DC/DC Primary Side Switch
● Telecom/Server
● Synchronous Rectification
■ Absolute Maximu...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SO-8 SOIC8 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMS175N10HG4 (WAYON) | — |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |||
| P- | IRF7493 (EVVO) IRF7493 (INFIN) | SOP-8 | 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMS099N10LGS (WAYON) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | TSM900N10CP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | — |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | 12N10 (YOUTAI) | — | 1 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | IRLR3410TR (YOUTAI) IRLR3410TR (INFIN) | — | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | IRFR3910TR (YOUTAI) IRFR3910TR (INFIN) | — | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMO15N12TS (WAYON) | TO252 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJS11G10A (YJ) | SOP-8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | IRFR3910 (EVVO) IRFR3910 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  | — |  | — | — | — |  | — | — | — | |
| A+ | IRFR120NTRPBF (JSMICRO) IRFR120NTRPBF (INFIN) | — | в ленте 2500 шт |  |  |  |  | — | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO13N10TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJS12G10A
Microsoft Word - YJS12G10A Rev3.1-20200829
Дата модификации: 10.10.2020
Размер: 1.44 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.