2SC1623-L7

RoHS 2SC1623 COMPLIANT NPN Transistor Features ● Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating ● Moisture Sensitivity Level 1 ●Halogen free available upon request by adding suffix ”HF” ● Surface mount package ideally Suited for Automatic Insertion ● NPN Mechanical Data ● Package: SOT-23 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Marking: 2SC1623-L5 2SC1623-L6 2SC1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SC3052-G (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BCW66H (JSCJ)
 
в ленте 1200 шт
 
A+ S9014 250-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ L2SC1623SLT1G (LRC)
 
 
A+ L2SC1623SWT1G (LRC)
 
 
A+ L9014SLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN
A+ 2SD1616AG-L-AB3-R (UTC)
 
SOT-89

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 2SC1623 COMPLIANT NPN Transistor Features ● Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating ● Moisture Sensitivity Level 1 ●Halogen free available upon request by adding suffix ”HF” ● Surface mount package ideally Suited for Automatic Insertion ● NPN Mechanical Data ● Package: SOT-23 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Marking: 2SC1623-L5 2SC1623-L6 2SC1623-L7 L5 L6 L7 ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Item Symbol Unit Conditions Value Collector-Base Voltage VCBO V IC=100μA,IE=0 60 Collector-Emitter Voltage VCEO V IC =1mA,IB=0 50 Emitter-Base Voltage VEBO V IE=100μA,IC=0 5 Collector Current IC A 0.1 Collector Power Dissipation PC mW 200 Junction Temperature Tj ℃ 150 Storage Temperature Tstg ℃ -55 to +150 ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ unless otherwise noted) Item Symbol Unit Conditions Min Type Max Collector-base breakdown voltage VCBO V IC=100μA,IE=0 60 Collector-emitter breakdown voltage VCEO V IC =1mA,IB=0 50 Emitter-base breakdown voltage VEBO V IE=100μA,IC=0 5 Collector-base cut-off current ICBO uA VCB=60 V ,IE=0 0.1 Emitter-base cut-off current IEBO uA VEB=5 V , IC=0 0.1 DC current gain hFE VCE=6V,IC=1mA 135 200 600 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) V IC=100mA,IB=10mA 0.3 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) V IC=100mA,IB=10mA 1 Base-emitter voltage VBE V VCE=6V,IC=1mA Transition frequency Ft MHz VCE= 6V, IC=10mA 250 Cob pF VCB=6V ,IE=0, f=1MHz 3 Collector-base output capacitance 0.55 0.65 1/4 S-S2840 Rev.1.0,14-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2SC1623-L5 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 14.02.2020

Размер: 814.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.