S32

Диод выпрямительный Single на напряжение до 20 В, ток до 3 А, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 165 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 54

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= DSK14 (ANBON)
 
SOD123
 
P= DSS12 (JSCJ)
 
в ленте 3000 шт
 
P= LMBR120FT1G (LRC)
 
SOD123FL в ленте 20 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
P= LMBR320FT1G (LRC)
 
SOD123FL
 
P= B5817WL (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= S14 (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= MBR0530 (YJ)
 

MBR0530 (ONS-FAIR)
SOD123 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon
P= DSS14 (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= LMBR130FT1G (LRC)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= LMBR140FT1G (LRC)
 
SOD123FL 220 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= DSL14 (ANBON)
 
SOD123
 
P= MBRX130 (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= B0540WQ (YJ)
 
SOD123 в ленте 6000 шт
 
Small Signal Schottky Rectifier
P= MBR0540 (SHIKUES)
 

MBR0540 (ONS-FAIR)
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= LMBR0540T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 2200 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon
P= RB160M-40 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= B0540W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 45000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon
P= B0540W (SHIKUES)
 
SOD123
 
P= LMBR140T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= MBR0530 (SHIKUES)
 

MBR0530 (ONS-FAIR)
SOD123 1 шт
 
P= MBR130 (SHIKUES)
 
SOD123 1500 шт
 
P= RB160M-30 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= MBR0530 (JSCJ)
 

MBR0530 (ONS-FAIR)
SOD123 1 шт
 
P= SK14WAL (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= LMBR0530FT1G (LRC)
 
SOD123FL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon
P= LMBR130T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 393 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon
P= LMBR0530T1G (LRC)
 
SOD123 900 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon
P= MBR0530G-CA2-R (UTC)
 
SOD123
 
P= B0530W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD103AW (ANBON)
 
SOD123
 
P= B5819W (SHIKUES)
 
SOD123 260 шт
 
P= MBR0560 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 200 шт
 
P= B0540W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= MBR0540 (YJ)
 

MBR0540 (ONS-FAIR)
SOD123 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon
P= S12 (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
P= SK12WA (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= LMBR120SFT1G (LRC)
 
SOD123FL
 
P= MBR140SF (SHIKUES)
 
SOD123 в ленте 70 шт
 
P= PMEG4010ER (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= SL14 (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= B5819W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= B5819W (JSMICRO)
 
в ленте 3000 шт
 
P= DSK16 (ANBON)
 
SOD123
 
P= SK14WA (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= B5819W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= DSK24 (ANBON)
 
SOD123
 
P= B5819WL (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= MBR0540 (JSCJ)
 

MBR0540 (ONS-FAIR)
SOD123 в ленте 3000 шт
P= LMBR0540FT1G (LRC)
 
SOD123FL
 
P= LMBR160FT1G (LRC)
 
SOD123FL 100 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon
P= LMBR160T1G (LRC)
 
SOD123
 
P= DSR1M (ANBON)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= B5818W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
P= MBR0560 SOD-123 (JSCJ)
 
SOD123 1000 шт

Файлы 1

показать свернуть
RoHS S32 THRU S320 COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Date ● Package: SOD-123FL Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code S32 S33 S34 S35 S36 S38 S310 S315 S320 S32 S33 S34 S35 S36 S38 S310 S315 S320 20 30 40 50 60 80 100 150 200 S315 S320 VRRM V IO A 3.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ IFSM A 65 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ Typical Junction Capacitance measured at 1MHz and Applied on 4.0VD.C Cj pF Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55 ~+125 -55 ~+150 165 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM IRRM mA TEST CONDITIONS S32 IFM=3.0A S33 S34 0.5 S35 S36 0.7 S38 S310 0.85 0.9 Ta=25℃ 0.5 0.1 Ta=100℃ 10 5 1/4 S-S089 Rev. 2.2,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на S310 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 20.08.2018

Размер: 461.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.