YJD45G10A

Yangjie
RoHS YJD45G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 45A ＜17 mohm ＜21.5 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Power switc...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJD120N04A
Внешний вид YJD120N04A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRLR2908 (EVVO)
 

IRLR2908 (INFIN) 		TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE0130KA (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
P- CRTD360N10L (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
A+ WMB072N12LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — —
A+ WMO175N10LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — — — — —
A+ WMQ099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
 — — — — — —
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB072N12LG2-S (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMB080N10HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — —
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO119N12LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт — —
A+ WMO099N10LGS (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
 — — —
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO175N10HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт — — — — —
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMB099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD45G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 45A ＜17 mohm ＜21.5 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 45 TC=25℃ Drain Current A ID 28.5 TC=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 180 A EAS 81 mJ 72 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 28.8 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.35 1.7 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD45G10A F1/F2 YJD45G10A 2500 / 25000 13”Reel 1/6 S-E402 Rev.3.1,26-Oct-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD45G10A 

Microsoft Word - YJD45G10A

Дата модификации: 27.10.2021

Размер: 765.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)