WMO175N10HG4
WMO175N10HG4
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
D
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
G
TO-252
Features
S
VDS = 100V, ID = 45A
RDS(on) &...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Аналоги 16
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | WMO13N10TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
P= | WMO175N10HG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
P= | WMB198N15HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | ||
P- | NCE0110K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
P- | IRLR2908TR (VBSEMI) | — | 50 шт | ||
P- | IRFR3410TR (VBSEMI) | — | |||
P- | CJAC70SN15 (JSCJ) | — | 100 шт | ||
P- | IRFR120NTR (YOUTAI) IRFR120NTR (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| |
P- | NCEP1545G (NCE) | — | |||
P- | CJU10N10 (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ||
P- | NCEP0225G (NCE) | — | |||
P- | YJG60G15HJ (YJ) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | ||
P- | IRFR3410TRPBF-VB (VBSEMI) | — | |||
P- | CS14N10A4 (CRMICRO) | TO252 | |||
P- | CJQ10SN15S (JSCJ) | SOP-8 | в ленте 4000 шт | ||
P- | JMSH1535AG (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO175N10HG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 03.01.2023
Размер: 609.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.