CJU15N10
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJUN
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID
100V
70mΩ@10V
15A
TO-252-2L
DESCRIPTION
The CJU15N10 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used
in a wide variety of applications
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
2
1
FEATURE
Exc...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2522L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 32
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CRTD360N10L (CRMICRO) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
P- | YJD45G10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | IRLR3410TR (JSMICRO) IRLR3410TR (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | IRFR3910TRPBF (JSMICRO) IRFR3910TRPBF (INFIN) | — | 200 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | CS14N10A4 (CRMICRO) | TO252 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | IRFR3910 (EVVO) IRFR3910 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | ||||||
P- | JMSL10130AK (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | NCE0115K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | NCE0130KA (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFR540Z (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | TSM900N10CP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD15N10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | IRF540NS (EVVO) IRF540NS (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFR3410 (EVVO) IRFR3410 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE0130GA (NCE) | DFN-8 | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | 1 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO25N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMK25N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSL1040AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.