YJG130G04A

SUNCO
RoHS YJG130G04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 130A ＜1.75mohm ＜2.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T17AG (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T17A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP40T15GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T15G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T15AGU (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T14G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ NCEP40T20ALL (NCE)
 
—
 
 ± — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJG130G04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 130A ＜1.75mohm ＜2.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous- rectification ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 130 Tc=25℃ Drain Current ID A 82 Tc=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 390 A EAS 720 mJ 115 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 46 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 0.9 1.09 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG130G04A F1 YJG130G04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E427 Rev.1.2,3-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG130G04A 

Microsoft Word - YJG130G04A

Дата модификации: 04.11.2022

Размер: 1.06 Мб

6 стр.

RoHS YJG130G04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 130 A ＜1.8 mohm ＜3.0 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous- rectification ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ Drain Current A 130 ID Tc=100℃ Unit A 82 Pulsed Drain Current B IDM 390 A Avalanche energy C EAS 200 mJ 140 Tc=25℃ Total Power Dissipation D PD W 56 Tc=100℃ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 0.89 Thermal resistance, junction-ambient E RθJA 62 TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG130G04A F1 YJG130G04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E007 Rev.2.0,19-Jul-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG130G04A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 04.09.2019

Размер: 632.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)