YJG18N04A

SUNCO
RoHS YJG18N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ●100% EAS Tested ●100% ▽VDS Tested 40 V 18 A ＜14 mohm ＜19 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Ep...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ LNB8404DT0AG (LRC)
 
DFN30308
 
 ± — — — — — —
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ LN7406DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7404DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7402DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8408DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84065DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84045DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB84046DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8403DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ JMTQ100N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJQ35N04A (YJ)
 
— 20 шт
 
 —
A+ YJQ20N04A (YJ)
 
—
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG18N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ●100% EAS Tested ●100% ▽VDS Tested 40 V 18 A ＜14 mohm ＜19 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 18 TC=25℃ Drain Current A ID 11 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 75 A 17 W 7 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 49 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 7.1 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG18N04A F1 YJG18N04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E611 Rev.3.3,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG18N04A 

Microsoft Word - YJG18N04A Rev3.3

Дата модификации: 01.04.2022

Размер: 501 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)