JMTQ100N04A

JMTQ100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features     Applications 40V, 30A RDS(ON) < 11.1mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 14.7mΩ @ VGS = 4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Load Switch  PWM Application  Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free D G S PDFN3x3-8L Marking and Pin Assignment Sche...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ LN74012DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ NCEP4040Q (NCE)
 
DFN83X3 20 шт
 
±
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ CJAC40N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMQ050N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ YJQ35N04A (YJ)
 
20 шт
 
A+ WMO60N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ LN7402DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.