YJG40G10A

RoHS YJG40G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 40A <17.5 mohm <21.5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC40SN10L (JSCJ)
 
PDFN8L5X6
 
P= WMB119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMQ099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ WMO175N10HG4 (WAYON)
 
 
A+ WMO175N10LG4 (WAYON)
 
 
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMB099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ WMO099N10LGS (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMB099N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMO119N12LG4 (WAYON)
 
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ WMB119N12HG4 (WAYON)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG40G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 40A <17.5 mohm <21.5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ 7.5 TA=100℃ 4.5 Drain Current ID A TC=25℃ 40 TC=100℃ 25.3 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM 160 A EAS 81 mJ TA=25℃ 2.5 TA=100℃ 1 Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 60 TC=100℃ 24 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.7 2.1 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG40G10A F1 YJG40G10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E413 Rev.3.4,15-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG40G10A 

Дата модификации: 17.06.2022

Размер: 867.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.