YJG40G10A

RoHS YJG40G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 40A <17.5 mohm <21.5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC40SN10L (JSCJ)
 
PDFN8L5X6
 
P= WMB119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJG40G10AQ (YJ)
 
PDFN5060-8L
 
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ WMO099N10LGS (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMQ099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG40G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 40A <17.5 mohm <21.5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ 7.5 TA=100℃ 4.5 Drain Current ID A TC=25℃ 40 TC=100℃ 25.3 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM 160 A EAS 81 mJ TA=25℃ 2.5 TA=100℃ 1 Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 60 TC=100℃ 24 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.7 2.1 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG40G10A F1 YJG40G10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E413 Rev.3.4,15-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG40G10A 

Дата модификации: 17.06.2022

Размер: 867.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.