YJG90N04A

SUNCOYJ
RoHS YJG90N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 90A ＜4.5mohm ＜6.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ NCEP4090GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMTG4004A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJG130G04A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ NCEP40T11 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG90N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 90A ＜4.5mohm ＜6.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TC=25℃ Drain Current 90 ID TC=100℃ Pulsed Drain Current A A 63 IDM TC=25℃ Total Power Dissipation Unit 340 A 70 W 35 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 220 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 2.1 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG90N04A F1 YJG90N04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E625 Rev.3.2,06-Nov-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG90N04AF1 

Microsoft Word - YJG90N04A Rev3.2

Дата модификации: 09.11.2020

Размер: 1.25 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)