YJP130G10B

SUNCO
RoHS YJP130G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 130A ＜5.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching application ● Uninterruptible powe...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- CRST045N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJPF130SN10 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
P- WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
P- YJP130G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
P- IRFB4110 (EVVO)
 

IRFB4110 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
P- JMSH1003NC (JIEJIE)
 
TO-220-3 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRTT088N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
P- WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFB4110PBF (JSMICRO)
 

IRFB4110PBF (INFIN) 		— в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCEP039N10M (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 8 шт
 
 ± — — —
P- WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- NCEP040N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
P- NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — —
P- NCEP0178A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
P- NCE01H10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт — — —
P- IRFB4610PBF-VB (VBSEMI)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJP130G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 130A ＜5.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 130 TC=25℃ Drain Current ID A Tc=100℃ 82 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 520 A EAS 552 mJ 310 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 125 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 30 40 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.35 0.4 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) YJP130G10B B1 YJP130G10B 50 / OUTER CARTON DELIVERY QUANTITY(pcs) MODE 5000 Tube 1/7 S-E184 Rev.1.0,03-Dec-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJP130G10B 

Дата модификации: 08.12.2023

Размер: 679.7 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)