YJP130G10B
RoHS
YJP130G10B
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
100V
130A
<5.5mohm
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● Power switching application
● Uninterruptible powe...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 |
---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.