CJPF130SN10

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF130SN10 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 5.0mΩ@10V 130A TO-220F DESCRIPTION The CJPF130SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   1. GATE 2. DRAIN 3. SOUR...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJB110SN10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ STP310N10F7 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N CH 100V 180A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STH315N10F7-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 — —
A+ STH240N10F7-6 (ST)
 
H2PAK6 в ленте 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STP240N10F7 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —
A+ STP180N10F3 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO220 — Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ CSD19532Q5B (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт — — — — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт — — — — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ STP315N10F7 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF130SN10 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 5.0mΩ@10V 130A TO-220F DESCRIPTION The CJPF130SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 3 APPLICATIONS Low RDS(on) Low Gate Charge   MARKING High efficiency power supply Secondary synchronus rectifier EQUIVALENT CIRCUIT PF130SN10 = Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXXX = Code ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source Voltage VDS 100 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current ID Pulsed Drain Current IDM Maximum Power Dissipation PD ① ② ③ 130 390 500 mJ ℃/W Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 62 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TSTG -55~ +150 TL 260 1 A W EAS www.jscj-elec.com V 2.0 Single Pulsed Avalanche Energy Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) Unit ℃ Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJPF130SN10 

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 1.39 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)