YJQD12N03A
RoHS
YJQD12N03A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
DFN3.3X3.3
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
30 V
12 A
<16 mohm
<30 mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● High ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJSD12N03A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJBD3020 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LDN4308T1G (LRC) | SOP-8 | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LDN4340T1G (LRC) | SOP-8 | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LDN4818T1G (LRC) | SOP-8 | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LDN8308DT1AG (LRC) | — | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQD12N03AF1
Microsoft Word - YJQD12N03A Rev 1.0
Дата модификации: 17.11.2020
Размер: 1.09 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.