YJS06GP06A

RoHS YJS06GP06A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested -60V -5.9A <47 mohm <60 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● Low Crss Applications ● Load switch ● Battery protection ■ Absolute Maximum Ratings (...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE55P04S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- WMS05P06T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- IRF7342TR (YOUTAI)
 

IRF7342TR (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
P- NCE60P05S (NCE)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7342PBF (JSMICRO)
 

IRF7342PBF (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.