YJS06GP06A
RoHS
YJS06GP06A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● 100% UIS Tested
-60V
-5.9A
<47 mohm
<60 mohm
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● High density cell design for low RDS(ON)
● Low Crss
Applications
● Load switch
● Battery protection
■ Absolute Maximum Ratings (...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SO-8 SOIC8 |
|---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | NCE55P04S (NCE) | SO-8 SOIC8 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | WMS05P06T1 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
| P- | IRF7342TR (YOUTAI) IRF7342TR (INFIN) | SOP-8 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | NCE60P05S (NCE) | SOP-8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||
| P- | IRF7342PBF (JSMICRO) IRF7342PBF (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.