Вход / Регистрация

YJS4953B

SUNCO
RoHS YJS4953B COMPLIANT P-Channel and P-Channel Complementary MOSFET Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30 V -5.1 A ＜43 mΩ ＜59 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- IRF7104TRPBF (JSMICRO)
 

IRF7104TRPBF (INFIN) 		— 575 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7104 (EVVO)
 

IRF7104 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4953B COMPLIANT P-Channel and P-Channel Complementary MOSFET Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30 V -5.1 A ＜43 mΩ ＜59 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Wireless charger ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -5.1 TA=25℃ Drain Current ID A -3 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM -40 A 2 TA=25℃ Total Power Dissipation B PD W 0.8 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 50 60 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4953B F2 Q4953B 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E345 Rev.1.0,10-May-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4953B 

Дата модификации: 11.05.2023

Размер: 532.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)