YJSD04N06C

Yangjie
RoHS YJSD04N06C COMPLIANT N-Channel and N-Channel Complementary MOSFET Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 4A ＜75mΩ ＜90mΩ General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterrupt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC20N06D (JSCJ)
 
— ± — — — — —
P- WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7103TR (YOUTAI)
 

IRF7103TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE603S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ CJQ4559 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJSD04N06C COMPLIANT N-Channel and N-Channel Complementary MOSFET Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 4A ＜75mΩ ＜90mΩ General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 4 TA=25℃ Drain Current ID A 2.5 TA=100℃ Pulsed Drain Current Unit A IDM 20 A 1.6 TA=25℃ Total Power Dissipation B PD W 0.6 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range ℃ -55～+150 TJ ,TSTG ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 60 75 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N YJSD04N06C PACKING CODE F2 Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE QD04N06C 4000 8000 64000 13“ reel 1/8 S-E229 Rev.1.0,8-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJSD04N06C 

Дата модификации: 26.06.2023

Размер: 739.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)