YJSD04N06C

RoHS YJSD04N06C COMPLIANT N-Channel and N-Channel Complementary MOSFET Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 4A <75mΩ <90mΩ General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterrupt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7103TR (YOUTAI)
 

IRF7103TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 3000 шт
 
A+ NCE603S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.