Вход / Регистрация

NCE60ND03S

NCE
NCE60ND03S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60ND03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as Schematic diagram a Battery protection or in other switching application. General Features ● VDS =60V,ID =3A RDS(ON) <78m...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — —
P- WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- YJSD04N06C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7103TR (YOUTAI)
 

IRF7103TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJAC20N06D (JSCJ)
 
— ± — — — — —
P- CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
 ± — — — — —
A+ LN06N060TZHG (LRC)
 
— ± — — — — — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE6005AN (NCE)
 
SOT236L
 
 ± — — — —
A+ LN2660DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ LN2605T1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —
A+ LN2610ST1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —
A+ LN2610T1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт — —
A+ CJU4828 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ TSM850N06CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLL014NTRPBF (VBSEMI) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ LN2670TZHG (LRC)
 
SOT-89 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE60ND03S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60ND03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as Schematic diagram a Battery protection or in other switching application. General Features ● VDS =60V,ID =3A RDS(ON) <78mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 96mΩ @ VGS=4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Marking and pin Assignment Application ●Battery switch ●DC/DC converter SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 60ND03S NCE60ND03S SOP-8 - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 3 A Drain Current-Pulsed IDM 10 A PD 1.7 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 73.5 ℃/W (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCE60ND03S 

NCE60ND03S NCEPOWER | Alldatasheet NCE60ND03S Datasheet search, databook, component, free download site

Дата модификации: 20.06.2022

Размер: 664.4 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)