YJT220G06H

Yangjie
RoHS YJT220G06H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 220A ＜3mΩ ＜4mΩ General Description ● Double trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● H...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJT220G06H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 220A ＜3mΩ ＜4mΩ General Description ● Double trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Moisture Sensitivity Level 1 Applications ● High Power switching application ● BMS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 25 TA=25℃ 15 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 220 TC =100℃ 139 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 600 A EAS 1000 mJ 4.1 TA=25℃ 1.6 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 250 TC =100℃ 100 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 25 30 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.4 0.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJT220G06H F1 YJT220G06H 2000 4000 20000 13“ reel 1/8 S-E287 Rev.1.0,09-Jan-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJT220G06H 

Дата модификации: 08.05.2023

Размер: 707.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 января 2024
    новость

    SUNCO представляет новые MOSFET семейства N60V

    Компания SUNCO продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение до... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)