SUNCO представляет новые MOSFET семейства N60V
25 января 2024
Компания SUNCO продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение до 60 В и ток 70…300 А и выполнены в трех вариантах корпусов (рисунок 1). Толщина самого крупного корпуса TOLL не превышает 2,4 мм, а DFN3333 – менее одного миллиметра, что позволяет использовать их в очень тонких устройствах.
Минимальные потери энергии, широкий диапазон области безопасной работы (SOA), малое термическое сопротивление корпуса и значительный ток перегрузки делают новые MOSFET семейства N60V хорошим выбором для таких применений, как приводы электродвигателей, системы управления аккумуляторными батареями (BMS), мобильные хранилища энергии.
Рис. 1. Внешний вид и сопоставление размеров корпусов: а) DFN3333-8L; б) PDFN5060-8L; в) TOLL
Особенности новых MOSFET N60V:
- напряжение «сток-исток», VDS: 60 В;
- максимальное напряжение затвора, VGE: ±20 В;
- малое сопротивление открытого канала;
- высокая скорость переключения;
- отличная теплопередача корпуса.
Таблица 1. Основные характеристики транзисторов новой серии N60V
| Наименование | Ток стока ID при Tc = 25°C, А |
Пороговое напряжение затвора Vth, В | Сопротивление перехода Rdson при VGS = 10 В, мОм | Общий заряд затвора Qg, нКл | Диапазон рабочих температур кристалла Tj, °C | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин…макс. | Ном. | Ном. | Макс. | |||||
| YJQ70G06A | 70 | 1,0…2,5 | 1,6 | 4,5 | 5,8 | 33 | -55…175 | DFN3333-8L |
| YJG80G06B | 80 | 1,2…2,5 | 1,7 | 3,0 | 4,2 | 66 | -55…150 | PDFN5060-8L |
| YJG85G06B | 85 | 1,0…2,5 | 1,6 | 4,0 | 5,2 | 34 | -55…175 | PDFN5060-8L |
| YJG85G06H | 85 | 2…4 | 3 | 4,2 | 5,3 | 26 | -55…175 | PDFN5060-8L |
| YJG95G06B | 95 | 2,0…4,0 | 2,8 | 2,25 | 2,9 | 93 | -55…150 | PDFN5060-8L |
| YJG140G06A | 140 | 1,2…2,5 | 1,75 | 2 | 2,5 | 71 | -55…150 | PDFN5060-8L |
| YJG210G06AR | 210 | 1,0…2,5 | 1,8 | 1,2 | 1,6 | 119 | -55…150 | PDFN5060-8L |
| YJT220G06H | 220 | 2,0…4,0 | 2,8 | 2,4 | 3 | 80 | -55…150 | TOLL |
| YJT300G06H | 300 | 2,0…4,0 | 2,5 | 1,5 | 2 | 108 | -55…150 | TOLL |
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd (Yangjie) основан в Китае в 2000 году и за 2 десятилетия стал одним из ведущих национальных производителей дискретных полупроводников. Штаб-квартира находится в Янчжоу, провинция Цзянсу. YJ работает по IDM-модели (Integrated Device Manufacturer), объединяя полный цикл – от проектирования кристаллов до сборки и тестирования готовых изделий. Компания специализируется на решениях в области силовой электроники, соответствующих современным отраслевым тр ...читать далее
Наши информационные каналы