SUNCOYJ представляет новые MOSFET семейства N60V

25 января

Компания SUNCOYJ продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение до 60 В и ток 70…300 А и выполнены в трех вариантах корпусов (рисунок 1). Толщина самого крупного корпуса TOLL не превышает 2,4 мм, а DFN3333 – менее одного миллиметра, что позволяет использовать их в очень тонких устройствах.

Минимальные потери энергии, широкий диапазон области безопасной работы (SOA), малое термическое сопротивление корпуса и значительный ток перегрузки делают новые MOSFET семейства N60V хорошим выбором для таких применений, как приводы электродвигателей, системы управления аккумуляторными батареями (BMS), мобильные хранилища энергии.

Рис. 1. Внешний вид и сопоставление размеров корпусов: а) DFN3333-8L; б) PDFN5060-8L; в) TOLL

Особенности новых MOSFET N60V:

• напряжение «сток-исток», V_DS: 60 В;
• максимальное напряжение затвора, V_GE: ±20 В;
• малое сопротивление открытого канала;
• высокая скорость переключения;
• отличная теплопередача корпуса.

Таблица 1. Основные характеристики транзисторов новой серии N60V