YJT225G04HJQ

Yangjie
RoHS YJT225G04HJQ COMPLIANT RECOMMEND YJT1D3G04HQ FOR NEW DESIGN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 225A ＜1.2mΩ General Description ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Part n...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJT225G04HJQ COMPLIANT RECOMMEND YJT1D3G04HQ FOR NEW DESIGN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 225A ＜1.2mΩ General Description ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Part no. with suffix ”Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● High power inverter system ● Uninterruptible power supply ● LCDM appliances ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 25 TA=25℃ 17.8 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 225 TC =100℃ 159 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 400 A EAS 1441 mJ 2 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 166 TC =100℃ 83 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+175 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 60 72 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.75 0.9 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) YJT225G04HJQ F1 YJT225G04HJ 2000 4000 20000 DELIVERY MODE 13“ reel 1/7 S-B3179 Rev.1.1,20-May-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJT225G04HJQ 

Дата модификации: 19.05.2024

Размер: 632.9 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 декабря 2023
    новость

    SUNCO анонсировал производство новых N-канальных MOSFET N40V для автомобильных приводов

    Современный автомобиль обладает множеством электроприводов, обеспечивающих безопасную и комфортную эксплуатацию. Усилитель рулевого управления, насосы тормозной системы, а также подвески и охлаждения, стеклоподъемники, корректоры фар, управление... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)