AO4404
UMW
R
AO4404
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
Description
D
The AO4404 uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 4.5V. This
G
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
S
General Features
N-Channel MOSFET
VDS = 30V ID =8.5 A
RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=10V
Application
Batte...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMR15N02T1 (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | YJQ2012A (YJ) | DFN2020MD6 | в ленте 3000 шт | — | |||||||||||||
| A+ | CJMN2012 (JSCJ) | — | — | ||||||||||||||
| A+ | WM02DN560Q (WAYON) | DFN83X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WM02DN110C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.