DC/DC-преобразователи MORNSUN для IGBT/SiC/MOSFET-драйверов

28 марта 2023

телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияMornsunновостьисточники питанияSiCIGBTдрайвер MOSFETGaNDC-DC

Компания MORNSUN выпускает широкий выбор DC/DC-преобразователей для питания IGBT-, SiC- драйверов, а также универсальные варианты для IGBT/SiC/MOSFET. Это специализированные DC/DC-преобразователи в корпусе типа SIP или DIP с биполярным выходом разного значения (несимметричный выход), с высокими показателями изоляции «вход-выход», низкой проходной емкостью и с долговременной защитой от КЗ на выходе. Наиболее популярные преобразователи для IGBT и SiC уже имеются на складе Компэл (таблица №1).

Кроме этого, компания MORNSUN недавно разработала новое поколение данной продукции – R3 с улучшенными параметрами. Снизился уровень шума, увеличилась допустимая емкость нагрузки, повысился КПД и дополнительно снизилось значение проходной емкости, а напряжение изоляции у изделий нового поколения составляет 5000 В АС. Вся эта продукция уже доступна для заказа.

При разработке преобразователей с использованием IGBT/SiC/MOSFET-драйверов требуется обычно и маломощный служебный AC/DC-источник питания. Подобная продукция также широко представлена в линейке MORNSUN. Это — семейство источников питания LD/R2 в диапазоне мощности от 3 до 60 Вт.

Вся перечисленная продукция предназначена для использования в преобразователях электроэнергии для наземного транспорта, в том числе железнодорожного, в зарядных станциях, в устройствах электропитания ЦОД/телеком, а также в возобновляемой энергетике.

Таблица №1. Основные технические параметры DC/DC-преобразователей для IGBT/SiC-драйверов

Наименование* Тип корпуса Выходная мощность, Вт Входное напряжение (ном.), В Выходное напряжение, В Проходная емкость, пФ Изоляция «вх-вых», В (AC/DC) Диапазон температуры, °С Применение
QA01 SIP7 1,6 15 15 В, -8.7 В 6,6 3000 AC -40…105 для IGBT
QA01C-18 SIP7 2,1 15 18 В, -3 В 3,5 6000 DC -40…105 для SIC
QA03 SIP7 1,5 24 15 В, -8.7 В 6,6 3000 AC -40…105 для IGBT
QA04 SIP7 2 12 15 В, -8 В 6,6 3000 AC -40…105 для IGBT
QA1201C-20 SIP7 2,5 12 20 В, -5 В 3,5 6000 DC -40…105 для SIC
QA121 SIP7 2,8 12 15 В, -8 В 6 3000 AC -40…85 для IGBT
QA121C2 SIP7 2 12 15 В, -3.5 В 3,5 6000 DC -40…105 для SIC
QA151C3 SIP7 2 15 15 В, -4 В 3,5 6000 DC -40…105 для SIC
QA2401C-20 SIP7 2,4 24 20 В, -4 В 3,5 6000 DC -40…105 для SIC
QAW02 DIP24 3 24 (2:1) 15 В, -9 В 100 3000 DC -40…85 для IGBT
* Защита от КЗ.

Особенности:

  • Несимметричный биполярный выход
  • Усиленная изоляция «вход-выход»
  • Низкое значение проходной емкости
  • Долговременная защита от КЗ

Применение:

  • IGBT/SIC/MOSFET-драйверы
  • Преобразователи электроэнергии
  • Зарядные станции
  • Источники питания ЦОД/телеком
•••

Наши информационные каналы

Товары
Наименование
QA243-1509R3 (MORNSUN)
 
QAW02 (MORNSUN)
 
QA121 (MORNSUN)
 
QA01C (MORNSUN)
 
QA123C-1803R3 (MORNSUN)
 
QA151C3 (MORNSUN)
 
QA01 (MORNSUN)
 
QA151M (MORNSUN)
 
QA01-17 (MORNSUN)
 
QA123C-1504R3 (MORNSUN)