IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon 15 декабря 2020 Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как пр... управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиАудиоAC-DCGaN
Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления 24 июля 2019 Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых полупров... телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETGaNHEMT
Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon 21 июня 2019 Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей. Сегодня вопросы уменьшения потерь энергии в... управление питаниемпотребительская электроникаInfineonстатьядискретные полупроводникиGaN
1EDх56х3 – новые драйверы управления инновационными GaN-транзисторами 10 июня 2019 Компания Infineon представила новые одноканальные изолированные драйверы 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663H для управления высоковольтными GaN-транзисторами. Изделия из семейства GaN EiceDRIVER от Infineon являются альтернативой RC-драйверам, применя... управление питаниемуправление двигателемInfineonновостьинтегральные микросхемыAC-DCGaN
Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon 7 июня 2019 Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN. ... управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиAC-DCGaN
1EDN — новое семейство драйверов для IGBT, MOSFET и GaN транзисторов 7 июня 2017 Компания Infineon выпустила новую линейку драйверов 1EDN для управления затворами любых силовых транзисторов на высоких частотах в схемах высокоэффективных преобразователей мощности. 1EDN7511, 1EDN8511, 1EDN7512 — одноканальные драйверы с бо... управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCGaNККМ
Семинар «Промышленная революция 4.0 (Industry 4.0): элементная база» (28.09.2016, Чебоксары) 15 сентября 2016 Компания Компэл, совместно с компанией Texas Instruments и НТК Мостэк, приглашают вас принять участие в семинаре «Промышленная революция 4.0 (Industry 4.0): элементная база», который состоится 28 сентября в Чебоксарах. В условиях непрерывного стре... системы безопасностиучёт ресурсовуправление питаниемавтоматизациялабораторные приборыTexas InstrumentsвебинарновостьAC-DCGaNАЦП/ЦАП
Семинар «Время эффективных решений с TI» (20.09.2016, Новосибирск) 25 августа 2016 Компания Компэл совместно с компанией Texas Instruments приглашает вас принять участие в семинаре «Время эффективных решений с TI», который состоится 20 сентября в Новосибирске. Аналогичное мероприятие пройдет 22 сентября в Екатеринбурге. Семинар ... Texas InstrumentsвебинарновостьAC-DCSARGaNBluetoothАЦП/ЦАП
Семинар «Время эффективных решений с TI» (22.09.2016, Екатеринбург) 25 августа 2016 Компания Компэл совместно с компанией Texas Instruments приглашает вас принять участие в семинаре «Время эффективных решений с TI», который состоится 22 сентября в Екатеринбурге. Аналогичное мероприятие пройдет 20 сентября в Новосибирске. Семинар ... Texas InstrumentsвебинарновостьAC-DCSARGaNBluetoothАЦП/ЦАП
Мощные нитрид-галлиевые транзисторы (GaN) от EPC – конец эры кремния? 27 августа 2015 До недавнего времени преимущества силовых транзисторов на нитриде галлия перед кремниевыми было невозможно реализовать на практике из-за того, что в обычных условиях они являются нормально-открытыми. Благодаря разработанной компанией EPC технологи... Efficient Power ConversionстатьяGaN