Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.
Хотя возможности кремниевых полупров...
Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.
Сегодня вопросы уменьшения потерь энергии в...
Компания Infineon представила новые одноканальные изолированные драйверы 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663H для управления высоковольтными GaN-транзисторами. Изделия из семейства GaN EiceDRIVER от Infineon являются альтернативой RC-драйверам, применя...
Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN. ...
TVS-диоды предназначены для поглощения существенных по мощности импульсных нагрузок, что обеспечено механизмом работы компонента: он закрыт до момента возникновения помехи и не участвует в работе схемы, т.е. через него не протекает ток. Возникающи...
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)
Цифровые изоляторы – незаменимые компоненты различных электронных устройств от источников питания до измерительных приборов. Сейчас на рынке присутствуют несколько крупных производителей цифровых изоляторов, и расст...
Малый ток покоя интегральных DC/DC-преобразователей, таких как LM5165 производства компании Texas Instruments, и использование их в качестве дополнительной, помимо LDO, ступени преобразования позволяет значительно повысить КПД систем питания автон...
Начатую еще в прошлом году серию статей под условным названием «STM32 + периферия = LOVE» [1, 2, 3] продолжает обзор графических библиотек, позволяющих упростить и ускорить вывод на рынок готового изделия. Рассмотрены универсальная библиотека STem...