Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

30 декабря 2020
Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET

Силовые модули по технологии Solder Bond типоразмеров 34 и 50 мм

28 декабря 2020
Электронные силовые полупроводниковые модули производства Infineon выполнены по технологии Solder Bond и поставляются на рынок в типоразмерах 34 и 50 мм. В статье представлены их основные параметры, особенности монтажа и рассмотрен процесс нанесен...
управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиAC-DC

DC/DC- и AC/DC-преобразователи TRACO со склада КОМПЭЛ

16 декабря 2020
Предлагаем широкий ассортимент наиболее востребованных позиций продукции TRACO. В настоящее время со склада КОМПЭЛ можно приобрести изолированные монтируемые на печатную плату DC/DC-преобразователи в стандартных корпусах SIP, SMD, DIP. Данные комп...
телекоммуникациисистемы безопасностиавтоматизацияответственные примененияTRACOновостьисточники питанияSIPизолированные DC-DCTRACOминиатюрный AC-DC

Схемы и решения для управления затвором на базе ИС драйверов серии EiceDriver от Infineon

14 декабря 2020
Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies) Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN-TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим показателям ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCККМ

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

11 декабря 2020
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Главное – пациент: надежные источники питания MEAN WELL для медоборудования (материалы вебинара)

11 декабря 2020
Компания Компэл приглашает вас на вебинар, посвященный источникам питания медицинского назначения компании MEAN WELL. В настоящее время в связи с продолжающейся пандемией резко возросла потребность в приборах и аппаратах определенного медицинского...
медицинаответственные примененияMEAN WELLвебинаристочники питания

Новые SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed на 650 В в корпусе D-Pak

11 декабря 2020
Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основн...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

Силовые ключи верхнего плеча Power PROFET для автомобилей

10 декабря 2020
В руководстве представлена информация, которая дополняет техническую спецификацию силовых ключей семейства Power PROFET производства Infineon. Рассмотрены назначение и принцип действия ряда функций, реализованных в этих ключах, а также функциониро...
автомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETсиловой ключинтеллектуальный ключ

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

8 декабря 2020
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

7 декабря 2020
Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное реше...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемы