Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon)
Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд...
Электронные силовые полупроводниковые модули производства Infineon выполнены по технологии Solder Bond и поставляются на рынок в типоразмерах 34 и 50 мм. В статье представлены их основные параметры, особенности монтажа и рассмотрен процесс нанесен...
Предлагаем широкий ассортимент наиболее востребованных позиций продукции TRACO. В настоящее время со склада КОМПЭЛ можно приобрести изолированные монтируемые на печатную плату DC/DC-преобразователи в стандартных корпусах SIP, SMD, DIP. Данные комп...
Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies)
Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN-TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим показателям ...
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2).
Средний ток диодов ...
Компания Компэл приглашает вас на вебинар, посвященный источникам питания медицинского назначения компании MEAN WELL. В настоящее время в связи с продолжающейся пандемией резко возросла потребность в приборах и аппаратах определенного медицинского...
Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK).
Основн...
В руководстве представлена информация, которая дополняет техническую спецификацию силовых ключей семейства Power PROFET производства Infineon. Рассмотрены назначение и принцип действия ряда функций, реализованных в этих ключах, а также функциониро...
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
Вольфганг Франк (Infineon)
Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное реше...