UMW – качественные полупроводниковые компоненты из Китая для бытового и индустриального применения

20 октября 2022
Алексей Васильев (г. Москва) Современной тенденцией в китайской экономике стало появление сильных местных брендов. В сегменте электронных компонентов одной из таких торговых марок является UMW, принадлежащая компании Youtai Semiconductor. Данный б...
системы безопасностиавтомобильная электроникаучёт ресурсовуправление питаниемпотребительская электроникаавтоматизацияинтернет вещейуниверсальное применениеUMWстатьяинтегральные микросхемыисточники питаниядатчикидискретные полупроводникиRS-485MOSFETIGBTAC-DCLEDESDInternet-of-Thingsбатарейное питаниеККМLDODC-DCMotor DriveUMW

Особенности транзисторов в корпусах ISOPLUS производства Littelfuse

1 марта 2022
Компания Littelfuse представляет линейку корпусов ISOPLUS, различающихся формой и количеством выводов и предназначенных как для установки в отверстия, так и для поверхностного монтажа. Корпуса ISOPLUS, выполняющие функции узла распределения тепла,...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемLittelfuseстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTMotor Drive

Высоковольтные TVS-диоды Littelfuse серии TPSMB обеспечат безопасную коммутацию IGBT-транзисторов

21 февраля 2022
Константин Кузьминов (г. Заполярный) Высоковольтные TVS-диоды – важные компоненты для обеспечения надежной защиты IGBT в безопасном и активном режимах работы. Компания Littelfuse предлагает широкий ассортимент высоковольтных TVS-диодов TPSMB на на...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеLittelfuseстатьядискретные полупроводникиIGBTTVS-диодыTPSMB

Экосистема STMicroelectronics для управления двигателями

14 декабря 2021
Софья Букреева (г. Протвино) Компания STMicroelectronics предлагает все необходимые компоненты для систем управления коллекторными, бесколлекторными, синхронными и шаговыми двигателями. К услугам разработчиков – драйверы STSPIN, широкий выбор оцен...
управление двигателемSTMicroelectronicsстатьяинтегральные микросхемысредства разработки и материалыMOSFETIGBTBLDCMotor DrivePMSM

650-вольтовые гибридные IGBT с диодами CoolSiC для преобразователей с высоким КПД

7 октября 2021
Компания Infineon решила объединить несколько передовых технологий производства силовых полупроводниковых приборов и разработала новое семейство 650-вольтовых гибридных IGBT Hybrid CoolSiC, содержащих в одном корпусе кремниевые IGBT, изготовленные...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемавтоматизацияответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTcoolsic

Изолированные драйверы затвора ADuM4221 от Analog Devices

8 июня 2021
Компания Analog Devices выпустила на рынок новые изолированные драйверы затвора ADuM4221 с максимальным выходным током 4 А, предназначенные, в первую очередь, для управления высокоскоростными карбид-кремниевыми (SiC) и галлий-нитридными (GaN) поле...
управление питаниемуправление двигателемAnalog Devicesновостьинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTGaNизолированный драйвер затвора

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

10 февраля 2021
Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку ...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCIGBTAC-DCККМSiC MOSFET

IGBT-модули EconoPACK™+ от Infineon с защитой от сероводорода

9 февраля 2021
Алексей Гурвич, Оливер Шиллинг и другие (Infineon Technologies) С каждым годом на рынке возрастает число частотно-регулируемых приводов (ЧРП). В настоящее время ЧРП широко используются во многих промышленных приложениях. В некоторых применениях, т...
управление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTAC-DCMotor Drive

Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

15 января 2021
Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энерги...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTAC-DCHybrid IGBT

Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

30 декабря 2020
Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET
Главная