650-вольтовые гибридные IGBT с диодами CoolSiC для преобразователей с высоким КПД

7 октября
Компания Infineon решила объединить несколько передовых технологий производства силовых полупроводниковых приборов и разработала новое семейство 650-вольтовых гибридных IGBT Hybrid CoolSiC, содержащих в одном корпусе кремниевые IGBT, изготовленные...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемавтоматизацияответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTcoolsic

Изолированные драйверы затвора ADuM4221 от Analog Devices

8 июня
Компания Analog Devices выпустила на рынок новые изолированные драйверы затвора ADuM4221 с максимальным выходным током 4 А, предназначенные, в первую очередь, для управления высокоскоростными карбид-кремниевыми (SiC) и галлий-нитридными (GaN) поле...
управление питаниемуправление двигателемAnalog Devicesновостьинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTGaNизолированный драйвер затвора

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

10 февраля
Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку ...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCIGBTAC-DCККМSiC MOSFET

IGBT-модули EconoPACK™+ от Infineon с защитой от сероводорода

9 февраля
Алексей Гурвич, Оливер Шиллинг и другие (Infineon Technologies) С каждым годом на рынке возрастает число частотно-регулируемых приводов (ЧРП). В настоящее время ЧРП широко используются во многих промышленных приложениях. В некоторых применениях, т...
управление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTAC-DCMotor Drive

Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

15 января
Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энерги...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTAC-DCHybrid IGBT

Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

30 декабря 2020
Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET

Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon

23 декабря 2020
Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д...
управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET

Схемы и решения для управления затвором на базе ИС драйверов серии EiceDriver от Infineon

14 декабря 2020
Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies) Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN-TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим показателям ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCККМ

2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER

20 ноября 2020
Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции. Изоляционны...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCдрайвер MOSFET

Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

18 ноября 2020
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive