Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...
Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект...
Константин Кузьминов (г. Заполярный)
Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникац...
Китайская компания Jiangsu Runic Technology CO., Ltd (Runic) запустила производство бюджетных микросхем 1- и 2-канальных высокоскоростных драйверов затвора нижнего плеча (low-side) для MOSFET и IGBT. Продукция отличается хорошими динамическими пок...
Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в переме...
Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В бу...
Китайская компания SUNCO выпускает дискретные IGBT-транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO-247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в том, что перв...
Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT-транзисторов с напряжением «коллектор-эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии Micro trench, ...
Компания SUNCO (Китай) начала производство новых дискретных IGBT-транзисторов в корпусе TO-264. Уже сейчас доступны модели DGL50N120CTL0D и DGL75N120CTL1J с номинальными токами 50 и 75 А, соответственно, и напряжением «коллектор-эмиттер» до 1200 В...
