Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

30 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETККМSiC MOSFETPFC

Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

24 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А...
телекоммуникацииуправление питаниемуниверсальное применениеWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon

23 декабря 2020
Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д...
управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

11 декабря 2020
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

4 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к времен...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETMotor DriveSiC MOSFET

900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

3 ноября 2020
Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETAC-DCMotor DriveКарбид кремния

2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

26 октября 2020
Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно по...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиSiCSiC MOSFETcoolsicMOSFET Driver

CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

28 июня 2018
CoolSiC™ G6 — новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiCȒ...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиSiC

Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

1 июня 2018
Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их бол...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиSiC

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

4 декабря 2017
Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как...
системы безопасностиавтомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемавтоматизацияответственные примененияInfineonстатьяSiCMOSFETIGBT