CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

новость
28 июня 2018
CoolSiC™ G6 - новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiC™ G6 ...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиSiC

Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

статья
1 июня 2018
Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их бол...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиSiC

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

статья
4 декабря 2017
Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как...
системы безопасностиавтомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемавтоматизацияответственные примененияInfineonстатьяSiCMOSFETIGBT

Первый в мире 1000V SiC MOSFET

новость
19 июля 2017
Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфо...
управление питаниемCREE POWERновостьдискретные полупроводникиSiCMOSFET

CoolSiC™: новая революция в области MOSFET

статья
16 июня 2017
Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию ...
управление питаниемпотребительская электроникаответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыоптоэлектроникасредства разработки и материалыSiC

Дорогу карбиду кремния! – диоды Шоттки производства Littelfuse

статья
11 мая 2017
Карбид кремния (SiC) – один из наиболее перспективных полупроводниковых материалов. Он отличается от традиционного кремния возможностью получения более высоких значений рабочего напряжения, меньшим уровнем статических и динамических потерь, бо...
управление питаниемLittelfuseстатьядискретные полупроводникиSiC

LFUSCD — мощные SiC диоды Шоттки от Littelfuse

новость
17 марта 2017
Семейство диодов LFUSCD относится к новейшему классу выпрямительных диодов Шоттки, изготовленных по карбид-кремниевой технологии (SiC - Silicon carbide). Данная технология предлагает существенное улучшение (по сравнению со стандартными кремниевыми...
Littelfuseновостьдискретные полупроводникиSiC

IHM, IHV и PrimePACK – мощные силовые модули от Infineon

новость
23 ноября 2016
На склад Компэл поступили мощные силовые IGBT модули Infineon, предназначенные для коммутации больших токов и высоких напряжений. Они находят применение в инверторах различной конфигурации, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания...
управление питаниемуправление двигателемInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCIGBTUPS