Транзисторы для мощных источников питания: какую технологию выбрать

10 сентября
Читая восторженные статьи о внедрении широкозонных полупроводников (SiC и GaN), можно прийти к выводу, что эра кремния в мощных импульсных источниках питания закончилась. Однако есть масса приложений, где он остается незаменимым и не скоро сдаст с...
телекоммуникацииуправление питаниемSUNCOстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETGaNSJ MOSFET

Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT

25 ноября 2022
Полупроводники на основе карбида кремния (SiC) имеют огромные перспективы в области силовой электроники. В Китае карбид-кремниевая промышленность – одно из направлений национального плана развития науки и техники, относящееся к национальной страте...
телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление питаниемответственные примененияуниверсальное применениеGPTновостьдискретные полупроводникиSiCККМPFCвысоковольтное применение3300 ВольтВысоковольтные диоды