DC/DC-преобразователи MORNSUN для IGBT/SiC/MOSFET-драйверов

28 марта
Компания MORNSUN выпускает широкий выбор DC/DC-преобразователей для питания IGBT-, SiC- драйверов, а также универсальные варианты для IGBT/SiC/MOSFET. Это специализированные DC/DC-преобразователи в корпусе типа SIP или DIP с биполярным выходом раз...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияMornsunновостьисточники питанияSiCIGBTдрайвер MOSFETGaNDC-DC

Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT

25 ноября 2022
Полупроводники на основе карбида кремния (SiC) имеют огромные перспективы в области силовой электроники. В Китае карбид-кремниевая промышленность – одно из направлений национального плана развития науки и техники, относящееся к национальной страте...
телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление питаниемответственные примененияуниверсальное применениеGPTновостьдискретные полупроводникиSiCККМPFCвысоковольтное применение3300 ВольтВысоковольтные диоды

Изолированные драйверы затвора ADuM4221 от Analog Devices

8 июня 2021
Компания Analog Devices выпустила на рынок новые изолированные драйверы затвора ADuM4221 с максимальным выходным током 4 А, предназначенные, в первую очередь, для управления высокоскоростными карбид-кремниевыми (SiC) и галлий-нитридными (GaN) поле...
управление питаниемуправление двигателемAnalog Devicesновостьинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTGaNизолированный драйвер затвора

Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

3 марта 2021
Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого ...
телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление питаниемWolfspeedстатьядискретные полупроводникиSiCAC-DCККМSiC MOSFET

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

10 февраля 2021
Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку ...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCIGBTAC-DCККМSiC MOSFET

Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

30 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаWolfspeedстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETККМSiC MOSFETPFC

Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

24 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А...
телекоммуникацииуправление питаниемуниверсальное применениеWolfspeedстатьядискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon

23 декабря 2020
Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д...
управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

11 декабря 2020
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

4 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к времен...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETMotor DriveSiC MOSFET