900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

3 ноября
Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETAC-DCMotor DriveКарбид кремния

2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

26 октября
Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно по...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиSiCSiC MOSFETcoolsicMOSFET Driver

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

1 сентября
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

28 июня 2018
CoolSiC™ G6 — новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiCȒ...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиSiC

Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

1 июня 2018
Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их бол...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиSiC

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

4 декабря 2017
Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как...
системы безопасностиавтомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемавтоматизацияответственные примененияInfineonстатьяSiCMOSFETIGBT

Первый в мире 1000V SiC MOSFET

19 июля 2017
Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфо...
управление питаниемCREE POWERновостьдискретные полупроводникиSiCMOSFET

CoolSiC™: новая революция в области MOSFET

16 июня 2017
Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию ...
управление питаниемпотребительская электроникаответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыоптоэлектроникасредства разработки и материалыSiC

Дорогу карбиду кремния! – диоды Шоттки производства Littelfuse

11 мая 2017
Карбид кремния (SiC) – один из наиболее перспективных полупроводниковых материалов. Он отличается от традиционного кремния возможностью получения более высоких значений рабочего напряжения, меньшим уровнем статических и динамических потерь, больше...
управление питаниемLittelfuseстатьядискретные полупроводникиSiC

LFUSCD — мощные SiC диоды Шоттки от Littelfuse

17 марта 2017
Семейство диодов LFUSCD относится к новейшему классу выпрямительных диодов Шоттки, изготовленных по карбид-кремниевой технологии (SiC — Silicon carbide). Данная технология предлагает существенное улучшение (по сравнению со стандартными кремн...
Littelfuseновостьдискретные полупроводникиSiC