Новинка от SUNCOYJ: SiC-транзисторы в корпусе TOLL вчера Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,... управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL
На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon 8 июля Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства. Э... управление питаниемуправление двигателемAnbon SemiATSновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETTO-247TO-263
Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от SUNCOYJ для высокочастотных применений большой мощности 29 июня 2023 С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам полупрово... автомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETзарядное устройство для электромобиляTO-247
1200 В карбид-кремниевые MOSFET от SUNCOYJ – высокая стабильность параметров и скорость переключения 20 апреля 2023 В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид-кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном использовании... телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиAC-DC ConvertersSiC MOSFETзарядное устройство для электромобиляСиловая электроника