Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно по...
Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р...
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)
Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволя...