Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от SUNCO

10 августа 2023

Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары кабеля, тем самым увеличивая максимальную передаваемую мощность. Согласно данному стандарту, источник питания (PSE) теперь может обеспечить 90 Вт выходной мощности, а мощность питаемого устройства (PD) повысилась до 71,3 Вт. Это дает возможность новым приложениям с PoE использовать более высокую плотность мощности.

Для достижения максимального результата компания SUNCO (КНР), всемирно известная как производитель дискретных полупроводников, выпустила серию N150V – N-канальные MOSFET для решений с IEEE802.3af/at/bt. Используя технологию SGT, новые транзисторы (таблица 1) имеют более высокие скорости переключения и меньшие потери, чем традиционные компоненты, выполненные по технологии Trench MOS.

Особенности новой серии N150V:

• благодаря технологии SGT транзисторы обладают низким сопротивлением открытого канала и отличными характеристиками переключения;
• имеются несколько вариантов корпусов;
• серия предназначена для источников питания PD, соответствующих стандарту IEEE802.3af/at/bt.

Таблица 1. Основные характеристики транзисторов новой серии N150V