Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

8 февраля
Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП-транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзи...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)TO-247

SUNCOYJ представляет новые MOSFET семейства N60V

25 января
Компания SUNCOYJ продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение ...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)компактный корпусSOA

Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от SUNCOYJ

10 августа 2023
Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары кабеля...
телекоммуникацииуправление питаниемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETPoESGT (Split Gate Trench)IEEE802.3af/at/bt

Новинка от SUNCOYJ – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

23 мая 2023
Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCOYJ предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Tren...
управление питаниемуправление двигателемпотребительская электроникаSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)