YJS05G15A

SUNCOYJ
RoHS YJS05G15A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested 150V 5A ＜70mΩ ＜80mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO09N20TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 100 шт
 
 — — —
A+ LN7925DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ CJQ10SN15S (JSCJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ UF630G-TN3-R (UTC)
 
— 30 шт — —
A+ LNB8960DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8936DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8930DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN7950HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ WMS690N15HG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ LN4960T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —
A+ NCE0208KA (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —
A+ WMS06N15T2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — —
A+ JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS05G15A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested 150V 5A ＜70mΩ ＜80mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Switching Voltage Regulators ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 150 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 5 TA=25℃ Drain Current ID A 3 TA=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 40 A EAS 4.4 mJ 3.5 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1.4 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 30 35 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS05G15A F2 Q05G15A 4000 8000 64000 13“ reel 1/8 S-E291 Rev.1.1,13-Jul-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS05G15A 

Дата модификации: 12.07.2023

Размер: 726.7 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    10 августа 2023
    новость

    Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от SUNCOYJ

    Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)